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SOI制造技術(shù)
TM-SOI
硅基科技公司采用具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的TM-SOI薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)，利用低溫微波氛圍將注入的氫離子激活，實(shí)現(xiàn)行業(yè)較先進(jìn)的“硅片鍵合+薄膜轉(zhuǎn)移”的裂片工藝，制造高質(zhì)量、膜厚均勻的SOI晶圓片。
薄膜產(chǎn)品包括薄膜SOI（device layer>100nm）和超薄膜SOI(device layer <100nm)。
TM+EPI SOI
利用公司自有的TM-SOI薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)與外延技術(shù)相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)TM-SOI硅片的器件層增厚，制造優(yōu)質(zhì)的外延SOI晶圓片。同時(shí)，外延技術(shù)可以與TM-SOI技術(shù)結(jié)合，制備用于65nm-14nm節(jié)點(diǎn)采用的sSOI、Ge等相關(guān)的先進(jìn)材料。
Bonded SOI
在傳統(tǒng)的鍵合SOI工藝基礎(chǔ)上，采用高精度加工設(shè)備，實(shí)現(xiàn)更好的器件層厚度精度，從而改善片內(nèi)均勻性和提高產(chǎn)品性能。
硅基科技與客戶合作加工圖形SOI，由客戶提供有圖形的襯底片，進(jìn)行后續(xù)的鍵合、頂層磨拋工藝，形成完整的結(jié)構(gòu)。
RFαSOI
沿用公司自有的TM-SOI工藝路線，在BOX層與高阻襯底層之間制備一層新材料的新型SOI硅片。主要用于射頻領(lǐng)域，極大的提高了線性度，RF Losses，HQF等性能。