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硅-硅鍵合片
當(dāng)外延層厚度大于50um，硅-硅鍵合片具有更好的成本優(yōu)勢(shì)。
對(duì)于高壓器件，例如MOSFET和IGBT來說，是可行的替代材料。
良好的TEM和SRP測(cè)試結(jié)果，確保硅-硅鍵合片的質(zhì)量。
